3月11日，陜西省省長(zhǎng)劉國(guó)中主持召開(kāi)省政府第六次常務(wù)會(huì)議。會(huì)議研究了2019年度省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)等工作。會(huì)議決定，授予郝躍、楊紹卿、安芷生三位院士2019年度陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)，并對(duì)260個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì)。

據(jù)悉，陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)主要授予在本省從事科學(xué)研究或技術(shù)開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)化工作中做出重大貢獻(xiàn)的科學(xué)技術(shù)工作者或組織。

郝躍院士，長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。是我國(guó)第三代半導(dǎo)體電子學(xué)領(lǐng)域的開(kāi)拓者和引領(lǐng)者，也是該領(lǐng)域享譽(yù)全球的微電子學(xué)知名學(xué)者。

郝躍院士長(zhǎng)期奮斗在科研和教學(xué)一線，從上世紀(jì)九十年代開(kāi)始研究第三代（寬禁帶）半導(dǎo)體材料與器件研究，開(kāi)拓和引領(lǐng)了我國(guó)第三代（寬禁帶）半導(dǎo)體電子材料與器件的發(fā)展。在基礎(chǔ)研究方面攻克了低缺陷氮化鎵材料生長(zhǎng)的難題，研制出高質(zhì)量材料生長(zhǎng)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了同期最高效率的氮化鎵微波功率器件、最高亮度的深紫外氮化鎵LED器件，創(chuàng)建了我國(guó)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延生長(zhǎng)、器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝的理論與技術(shù)體系，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)第三代半導(dǎo)體從核心設(shè)備、材料到器件的重大創(chuàng)新，并使我國(guó)在氮化物第三代半導(dǎo)體電子器件步入國(guó)際領(lǐng)先行列。成果應(yīng)用于國(guó)防和國(guó)家重點(diǎn)領(lǐng)域，為國(guó)家科技與經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出了突出貢獻(xiàn)?？蒲薪虒W(xué)成果使得陜西省在第三代半導(dǎo)體研究領(lǐng)域處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，在國(guó)際上有重要地位。

郝躍院士曾獲1998年國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)，2009年國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，2015年國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，2008年國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，2010年獲得何梁何利科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)和2014年國(guó)家級(jí)教學(xué)成果二等獎(jiǎng)，2018年國(guó)家級(jí)教學(xué)成果一等獎(jiǎng)。

郝躍院士獲得2019年度陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)，這是對(duì)一位三十年來(lái)，艱苦奮斗、潛心探索、為我省科技事業(yè)做出突出貢獻(xiàn)的科學(xué)家的肯定，也是對(duì)三十年來(lái)矢志不渝、攀登科學(xué)高峰，付出無(wú)數(shù)心血和智慧的科學(xué)家的贊譽(yù)。郝躍院士既是廣大科技工作者的榜樣，也是全省廣大九三學(xué)社社員的驕傲，更是九三學(xué)社的榮光。郝躍院士將繼續(xù)帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)，攻堅(jiān)克難、持續(xù)創(chuàng)新，不斷沖擊新的世界科技前沿，為實(shí)現(xiàn)“兩個(gè)一百年”奮斗目標(biāo)和中華民族偉大復(fù)興的中國(guó)夢(mèng)作出新的更大貢獻(xiàn)?。ɡ铎o）